Меню



Кейси лазеры на гетероструктурах


Полупроводниковый лазер по п. Подложка InP, на которой производят рост гетероструктуры, должна иметь уровень легирования, больший в несколько раз к примеру, концентрация основных носителей 10 18 см -3 , чем область с квантовыми ямами.

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам.

Continuing to use this site, you agree with this. Полупроводниковый лазер, по прототипу, включает InP подложку, буферный слой, верхний и нижний пассивные то есть в которых не происходит генерация излучения волноводные слои, покровный слой и контактный слой.

Затем производят, например, рост покровного слоя 5 с уровнем легирования немного выше, чем у области с квантовыми ямами 3, а также высоколегированный контактный слой 6.

Толщины и материалы слоев, профиль легирования подбирают так, чтобы во всей структуре сформировался волновод. Полупроводниковый лазер представляет собой гетероструктуру, выращенную на подложке 1, по крайней мере, с одной активной квантовой ямой 3 и окружающими ее слоями полупроводника 2, 5, 6.

Внешний вид иткекционных лазеров в корпусе с волоконно-оптическим выводом.

Кейси лазеры на гетероструктурах

Затем производят рост слоев с p-n p-i-n -переходом, в качестве активной области используют одну или несколько квантовых ям 3, разделенных окружающими слоями 4 с фоновым уровнем примеси. Основные принципы. Home Contact us Help Free delivery worldwide.

Кейси лазеры на гетероструктурах

Необходимая для инверсии большая концентрация электронов и дырок может быть создана разными способами: Таким образом, в предлагаемых вариантах конструкции полупроводникового лазера исключается необходимость в присутствии дополнительных пассивных волноводных и ограничивающих слоев, что обеспечивает снижение внутренних потерь для электромагнитной волны за счет отсутствия дополнительных гетерограниц волновод - ограничивающие слои , снижение поперечной расходимости излучения, удешевляет и упрощает производство.

Активная среда должна сопрягаться с резонатором волновод с зеркалами , и между ними осуществляется обратная связь.

Показатель преломления активной квантовой ямы 3 превышает показатели преломления окружающих ее слоев полупроводника 1, 2, 5, 6, либо показатели преломления активных квантовых ям 3 превышают показатели преломления окружающих их слоев полупроводника 1, 2, 4, 5, 6. By using our website you agree to our use of cookies.

Терминология и общие сведения Как получить патент на изобретение Роспатент - методические рекомендации Международная патентная классификация. Резонатор может быть внешним рис. Отличается малыми размерами объём Инжекционный лазер 1 мм3.

Рисунки к патенту РФ Волноводом служат пассивные волноводные слои. Хар-ки нек-рых И. На основе этих гетероструктур были изготовлены полупроводниковые лазеры для оптической накачки со следующими параметрами:

На основе этих гетероструктур были изготовлены полупроводниковые лазеры для оптической накачки со следующими параметрами: Экспорт словарей на сайты , сделанные на PHP,. New in

На подложке для компенсации дефектов выращивают буферный слой InP с той же степенью легирования. Измерения выполнены при накачке на длине волны нм в импульсном режиме длительность импульса 5 нс, частота 10 Гц. Терминология и общие сведения Как получить патент на изобретение Роспатент - методические рекомендации Международная патентная классификация.

Кроме этого, предлагаемый полупроводниковый лазер обладает высоким потенциалом для его производства в промышленности, поскольку для изготовления приборов применяются стандартные, высоковоспроизводимые технологические операции, отработанные для создания систем на основе соединений А3В5 и их твердых растворов.

Отличается малыми размерами объём Инжекционный лазер 1 мм3. Когда выигрыш в энергии волны из-за взаимодействия с активной областью усиление становиться равным суммарным потерям в том числе и на выход излучения из резонатора , устройство превращается в источник когерентного электромагнитного излучения лазер.

Учебное пособие, физика", by Х. В предлагаемых вариантах конструкции полупроводникового лазера легко реализуется одномодовый волновод даже при поперечном размере моды, большем длины волны излучения, что является важным для создания мощных полупроводниковых лазеров с узкой диаграммой направленности.

Пометить текст и поделиться Искать во всех словарях Искать в переводах Искать в Интернете. Экспорт словарей на сайты , сделанные на PHP,.

На фиг. Толкование Перевод. Полупроводниковый лазер по п.

Толщина активного слоя И. Физический энциклопедический словарь. Обычно структура полупроводниковых лазеров представляет собой выращенные в определенной последовательности на полупроводниковой подложке буферный, ограничивающие, волноводные, активные и контактный слои.

Волноводный эффект достигается из-за большего показателя преломления в квантовых ямах по сравнению с показателями преломления остальных слоев в структуре. Распространение волны происходит за счет волноводного эффекта, основанного на точном подборе толщин эпитаксиальных слоев и разницы показателей преломления области с квантовой ямой 3 и окружающих ее слоев полупроводника 1, 2, 5, 6 либо с квантовыми ямами 3 активной области и окружающих их слоев полупроводника 1, 2, 4, 5, 6, а также подборе профиля их легирования.

Энциклопедический словарь. Волноводный эффект достигается из-за большего показателя преломления в квантовой яме по сравнению с показателями преломления остальных слоев в структуре. Обычно структура полупроводниковых лазеров представляет собой выращенные в определенной последовательности на полупроводниковой подложке буферный, ограничивающие, волноводные, активные и контактный слои.

Подложка GaN, на которой производят рост структуры, должна иметь уровень легирования, больший в несколько раз к примеру, концентрация основных носителей 10 18 см -3 , чем область с квантовыми ямами. Толщины и материалы слоев, профиль легирования подбирают так, чтобы во всей структуре сформировался волновод.

Затем производят, например, рост покровного слоя 5 с уровнем легирования немного выше, чем у области с квантовыми ямами 3, а также высоколегированный контактный слой 6. Волновод формируют всеми слоями гетероструктуры. В качестве полупроводников используют, например, соединения типа А3В5 и их твердые растворы.

Обычно волноводный слой не легируется или легируется незначительно , а ограничивающие слои легируются примесями донорных и акцепторных элементов, образуя p- и n-области. Терминология и общие сведения Как получить патент на изобретение Роспатент - методические рекомендации Международная патентная классификация.

Экспорт словарей на сайты , сделанные на PHP,. Полупроводниковый лазер.

Патентный поиск по классам МПК В предлагаемом полупроводниковом лазере активность среды квантовых ям 3 создают за счет инверсного распределения электронов между уровнями размерного квантования валентной зоны и зоны проводимости.

We can notify you when this item is back in stock. Bestselling Series.



Сын мать в очко смотреть онлайн
Опасно ли женщине заниматься сексом мужчине с простатитом
Смотреть порно ьрат с сестрой
Жестко во все дырки
Девушки из грузии секс
Читать далее...

<